Каталог
Каталог rus / en

Оптические датчики

Цена  6210 - 211370,00 с НДС
Принцип действия
Рабочий диапазон

Тип выхода

Количество выходов
Источник света
Подключение

Размер пятна на дистанции

Резьба

Количество пинов
Тип устройства
Расстояние срабатывания
Материал корпуса

Частота переключения, ГЦ 0750.15
Температура окружающей среды, эксплуатация

Входы деактивации
Количество аналоговых выходов
Длина кабеля

Диапазон регулировки

Принцип переключения

Управление/настройка

Интерфейс
Минимальный размер объекта
Предельный рабочий диапазон

Количество проводов в кабеле
Рабочий диапазон, белый 90%

Материал крышки оптики

Количество входов обучения
Оптимальное использование
Особенности

Функция

Товаров в разделе 1455
FT328.W3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Stainless steel, Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122713
| В наличии
Цена: 18 183,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.3/2N-M12P1 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50144041
| В наличии
Цена: 15 649,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.3/4P-M12P1 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Stainless steel, Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50127773
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.X3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133271
| В наличии
Цена: 16 245,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.X3/2N-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133941
| В наличии
Цена: 15 799,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.X3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133940
| В наличии
Цена: 16 245,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.X3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133942
| В наличии
Цена: 15 799,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/2-M8.3 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50133933
| В наличии
Цена: 15 799,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122576
| В наличии
Цена: 20 270,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/2N-200-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122577
| В наличии
Цена: 26 977,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/2N-M8 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122575
| В наличии
Цена: 25 635,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/4-M8.3 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50133932
| В наличии
Цена: 15 799,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122573
| В наличии
Цена: 20 270,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/4P-200-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122574
| В наличии
Цена: 26 977,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/4P-M8 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122572
| В наличии
Цена: 25 635,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50127903
| В наличии
Цена: 19 375,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.3/2N-M8 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50131580
| В наличии
Цена: 18 780,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50127904
| В наличии
Цена: 19 375,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.3/4P-200-M12P1 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50130280
| В наличии
Цена: 21 611,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.3/4P-200-M8P1 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50134636
| В наличии
Цена: 21 611,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.3/4P-M8 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50131572
| В наличии
Цена: 18 780,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.X3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50133928
| В наличии
Цена: 19 971,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.X3/2N-M8 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50133930
| В наличии
Цена: 19 525,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.X3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50133929
| В наличии
Цена: 19 971,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.X3/4P-M8 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50133931
| В наличии
Цена: 19 525,00 с НДС руб./шт.
В корзину
Модули для Opencart