Оптические датчики

Цена  6210 - 211370,00 с НДС
Принцип действия
Рабочий диапазон

Тип выхода

Количество выходов
Источник света
Подключение

Размер пятна на дистанции

Резьба

Количество пинов
Особенности

Функция

Количество проводов в кабеле
Интерфейс
Материал корпуса

Оптимальное использование
Частота переключения, ГЦ 0750.15
Количество входов обучения
Расстояние срабатывания
Длина кабеля

Входы деактивации
Принцип переключения

Температура окружающей среды, эксплуатация

Управление/настройка

Количество аналоговых выходов
Предельный рабочий диапазон

Тип устройства
Диапазон регулировки

Материал крышки оптики

Рабочий диапазон, белый 90%

Минимальный размер объекта
Leuze Rus на карте Москвы — Яндекс Карты
Товаров в разделе 1455
FT328.W3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Stainless steel, Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122713
| В наличии
Цена: 18 183,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.3/2N-M12P1 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50144041
| В наличии
Цена: 15 649,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.3/4P-M12P1 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Stainless steel, Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50127773
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.X3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133271
| В наличии
Цена: 16 245,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.X3/2N-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133941
| В наличии
Цена: 15 799,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.X3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133940
| В наличии
Цена: 16 245,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.X3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133942
| В наличии
Цена: 15 799,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/2-M8.3 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50133933
| В наличии
Цена: 15 799,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122576
| В наличии
Цена: 20 270,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/2N-200-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122577
| В наличии
Цена: 26 977,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/2N-M8 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122575
| В наличии
Цена: 25 635,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/4-M8.3 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50133932
| В наличии
Цена: 15 799,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122573
| В наличии
Цена: 20 270,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/4P-200-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122574
| В наличии
Цена: 26 977,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/4P-M8 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122572
| В наличии
Цена: 25 635,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50127903
| В наличии
Цена: 19 375,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.3/2N-M8 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50131580
| В наличии
Цена: 18 780,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50127904
| В наличии
Цена: 19 375,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.3/4P-200-M12P1 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50130280
| В наличии
Цена: 21 611,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.3/4P-200-M8P1 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50134636
| В наличии
Цена: 21 611,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.3/4P-M8 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50131572
| В наличии
Цена: 18 780,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.X3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50133928
| В наличии
Цена: 19 971,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.X3/2N-M8 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50133930
| В наличии
Цена: 19 525,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.X3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50133929
| В наличии
Цена: 19 971,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.X3/4P-M8 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50133931
| В наличии
Цена: 19 525,00 с НДС руб./шт.
В корзину