Кубические фотоэлектрические датчики серия 5

Цена  6210 - 34960,00 с НДС
Принцип действия
Рабочий диапазон

Тип выхода
Количество выходов
Источник света
Подключение
Резьба
Количество пинов
Материал крышки оптики
Диапазон регулировки
Особенности
Функция

Тип устройства
Материал корпуса
Частота переключения, ГЦ 1500
Температура окружающей среды, эксплуатация
Входы деактивации
Длина кабеля
Принцип переключения
Управление/настройка
Рабочий диапазон, белый 90%
Предельный рабочий диапазон

Количество проводов в кабеле
Leuze Rus на карте Москвы — Яндекс Карты

Высокопроизводительные датчики, компактный корпус

Фотоэлектрические датчики серии 5 с их компактной кубической конструкцией всегда являются правильным выбором, когда требуется мощное и надежное стандартное обнаружение, например, в конвейерной или упаковочной технике. Встроенные металлические резьбовые втулки M3 и кабельный вывод, который может быть направлен вниз или назад, открывают множество возможностей, особенно в ситуациях с ограниченным пространством для установки. С технологической точки зрения серия 5 - это датчики с большим диапазоном, большим световым пятном brightVision® и активным подавлением внешнего света A²LS.
Товаров в разделе 87
ET5.3/2-M8.3 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50133935
| В наличии
Цена: 14 904,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET5.3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122582
| В наличии
Цена: 19 971,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET5.3/2N-200-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122583
| В наличии
Цена: 21 313,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET5.3/2N-M8 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122581
| В наличии
Цена: 19 077,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET5.3/4-M8.3 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50133934
| В наличии
Цена: 14 904,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET5.3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122579
| В наличии
Цена: 19 971,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET5.3/4P-200-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122580
| В наличии
Цена: 21 313,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET5.3/4P-M8 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122578
| В наличии
Цена: 19 077,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET5I.3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50127901
| В наличии
Цена: 18 332,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET5I.3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50127902
| В наличии
Цена: 18 332,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET5I.3/4P-M8 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50136400
| В наличии
Цена: 17 140,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/2-M8.3 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50133933
| В наличии
Цена: 15 799,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122576
| В наличии
Цена: 20 270,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/2N-200-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122577
| В наличии
Цена: 26 977,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/2N-M8 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122575
| В наличии
Цена: 25 635,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/4-M8.3 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50133932
| В наличии
Цена: 15 799,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122573
| В наличии
Цена: 20 270,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/4P-200-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122574
| В наличии
Цена: 26 977,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5.3/4P-M8 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50122572
| В наличии
Цена: 25 635,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50127903
| В наличии
Цена: 19 375,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.3/2N-M8 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50131580
| В наличии
Цена: 18 780,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50127904
| В наличии
Цена: 19 375,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.3/4P-200-M12P1 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50130280
| В наличии
Цена: 21 611,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.3/4P-200-M8P1 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50134636
| В наличии
Цена: 21 611,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT5I.3/4P-M8 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 14 mm x 32.5 mm x 20.2 mm
Артикул: 50131572
| В наличии
Цена: 18 780,00 с НДС руб./шт.
В корзину