Цилиндрические фотоэлектрические датчики серия 412

Цена  12190 - 30015,00 с НДС
Принцип действия
Рабочий диапазон
Тип выхода
Количество выходов
Источник света
Подключение
Размер пятна на дистанции
Резьба
Количество пинов
Материал корпуса
Тип устройства
Особенности
Частота переключения, ГЦ 15
Температура окружающей среды, эксплуатация
Количество проводов в кабеле
Принцип переключения
Управление/настройка
Предельный рабочий диапазон
Входы деактивации
Материал крышки оптики
Длина кабеля
Рабочий диапазон, белый 90%
Функция
Leuze Rus на карте Москвы — Яндекс Карты
Чрезвычайно компактная конструкция M12 серии 412 в металлическом корпусе открывает множество интересных применений в ограниченном пространстве, например, в логистике или упаковке, когда установка фотоэлектрического датчика затруднена.
Товаров в разделе 35
ET412B.1/2 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140140
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET412B.1/2X-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140138
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET412B.1/4 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140136
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET412B.1/4X-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140134
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET412B.1/N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140141
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET412B.1/NX-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140139
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET412B.1/P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140137
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET412B.1/PX-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140135
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/2 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140158
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/2X-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140156
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/4 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140154
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/4X-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140151
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/N - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140159
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/NX-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140157
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/P - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140155
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/PX-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140152
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412BL2.1/2 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -10 ... 50 °C
Артикул: 50140166
| В наличии
Цена: 21 760,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412BL2.1/4 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Stainless steel
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -10 ... 50 °C
Артикул: 50140168
| В наличии
Цена: 21 760,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412BL2.1/4X-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Stainless steel
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -10 ... 50 °C
Артикул: 50140163
| В наличии
Цена: 21 760,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412BL2.1/N - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -10 ... 50 °C
Артикул: 50140167
| В наличии
Цена: 21 760,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412BL2.1/NX-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -10 ... 50 °C
Артикул: 50140162
| В наличии
Цена: 21 760,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412BL2.1/P - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -10 ... 50 °C
Артикул: 50140169
| В наличии
Цена: 21 760,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412BL2.1/PX-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Stainless steel
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -10 ... 50 °C
Артикул: 50140164
| В наличии
Цена: 21 760,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LS412B/D - Фотоэлектрический датчик однолучевой transmitter
Материал корпуса: Metal
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Степень защиты: IP 67
Артикул: 50140153
| В наличии
Цена: 12 221,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LS412B/DX-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой transmitter
Материал корпуса: Metal
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Степень защиты: IP 67
Артикул: 50140150
| В наличии
Цена: 12 221,00 с НДС руб./шт.
В корзину
12