Пластиковые цилиндрические фотоэлектрические датчики серия 318

Цена  7590 - 27025,00 с НДС
Принцип действия
Рабочий диапазон

Тип выхода
Количество выходов
Источник света
Подключение
Резьба
Количество пинов
Тип устройства
Принцип переключения
Управление/настройка
Предельный рабочий диапазон

Количество проводов в кабеле
Входы деактивации
Материал крышки оптики
Рабочий диапазон, белый 90%

Функция

Материал корпуса
Длина кабеля
Особенности

Частота переключения, ГЦ 1500
Температура окружающей среды, эксплуатация
Leuze Rus на карте Москвы — Яндекс Карты

Удивительно просто

Наша серия фотоэлектрических датчиков 318B является доказательством того, что доступность и функциональность не должны противоречить друг другу. Прочная пластиковая гайка, надежное обнаружение и интеллектуальный процесс всенаправленного монтажа в отверстие M18 делают эти датчики лучшим выбором для стандартных задач обнаружения во многих областях применения.
Товаров в разделе 66
ET318B.3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122565
| В наличии
Цена: 12 221,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET318B.3/2N-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122564
| В наличии
Цена: 10 880,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET318B.3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122563
| В наличии
Цена: 12 221,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET318B.3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122562
| В наличии
Цена: 10 880,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET318B.W3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122561
| В наличии
Цена: 14 159,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET318B.W3/2N-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122560
| В наличии
Цена: 12 818,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET318B.W3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122559
| В наличии
Цена: 14 159,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET318B.W3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122558
| В наличии
Цена: 12 818,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET318BI-400F.3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50127929
| В наличии
Цена: 12 668,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET318BI.3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50126606
| В наличии
Цена: 12 519,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET318BI.3/2N-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50127999
| В наличии
Цена: 10 731,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET318BI.3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50126607
| В наличии
Цена: 12 519,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET318BI.3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50127998
| В наличии
Цена: 10 731,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318B.3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122557
| В наличии
Цена: 12 668,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318B.3/2N-5000 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50141603
| В наличии
Цена: 14 009,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318B.3/2N-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122556
| В наличии
Цена: 11 774,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318B.3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122555
| В наличии
Цена: 12 668,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318B.3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122554
| В наличии
Цена: 11 774,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318B.W3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122553
| В наличии
Цена: 15 054,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318B.W3/2N-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122552
| В наличии
Цена: 13 563,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318B.W3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122551
| В наличии
Цена: 15 054,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318B.W3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122550
| В наличии
Цена: 13 563,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318BI-100F.X/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50135286
| В наличии
Цена: 14 308,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318BI.3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50126608
| В наличии
Цена: 13 264,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318BI.3/2N-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50127997
| В наличии
Цена: 11 625,00 с НДС руб./шт.
В корзину
Модули для Opencart