Оптические датчики

Цена  6210 - 211370,00 с НДС
Принцип действия
Рабочий диапазон

Тип выхода

Количество выходов
Источник света
Подключение

Размер пятна на дистанции

Резьба

Количество пинов
Количество проводов в кабеле
Интерфейс
Материал корпуса

Оптимальное использование
Частота переключения, ГЦ 0750.15
Количество входов обучения
Расстояние срабатывания
Длина кабеля

Входы деактивации
Принцип переключения

Температура окружающей среды, эксплуатация

Управление/настройка

Количество аналоговых выходов
Предельный рабочий диапазон

Тип устройства
Диапазон регулировки

Материал крышки оптики

Рабочий диапазон, белый 90%

Минимальный размер объекта
Особенности

Функция

Leuze Rus на карте Москвы — Яндекс Карты
Товаров в разделе 1455
LE3C/6G - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 11.4 mm x 34.2 mm x 18.3 mm
Артикул: 50137184
| В наличии
Цена: 15 054,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE3C/6G-200-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 11.4 mm x 34.2 mm x 18.3 mm
Артикул: 50137187
| В наличии
Цена: 16 544,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE3C/6G-5000 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 11.4 mm x 34.2 mm x 18.3 mm
Артикул: 50137186
| В наличии
Цена: 17 587,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE3C/6G-M8 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 11.4 mm x 34.2 mm x 18.3 mm
Артикул: 50137180
| В наличии
Цена: 15 054,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE3C/LP-M8 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull, Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 11.4 mm x 34.2 mm x 18.3 mm
Артикул: 50137192
| В наличии
Цена: 18 034,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE3CL1.1/4W-M8 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 11.4 mm x 34.2 mm x 18.3 mm
Артикул: 50137205
| В наличии
Цена: 17 885,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE3CL1.1/6G - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 11.4 mm x 34.2 mm x 18.3 mm
Артикул: 50137204
| В наличии
Цена: 16 990,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE3CL1.1/6G-200-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 11.4 mm x 34.2 mm x 18.3 mm
Артикул: 50137203
| В наличии
Цена: 18 332,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE3CL1.1/6G-200-M8 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 11.4 mm x 34.2 mm x 18.3 mm
Артикул: 50137941
| В наличии
Цена: 18 332,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE3CL1.1/6G-M8 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 11.4 mm x 34.2 mm x 18.3 mm
Артикул: 50137201
| В наличии
Цена: 16 990,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE3CL1.1/LP-M8 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull, Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 11.4 mm x 34.2 mm x 18.3 mm
Артикул: 50137207
| В наличии
Цена: 8 524,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE3CL1.B1/4W-M8 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 11.4 mm x 34.2 mm x 18.3 mm
Артикул: 50137206
| В наличии
Цена: 17 885,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE3CL1.B1/6G-M8 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 11.4 mm x 34.2 mm x 18.3 mm
Артикул: 50137202
| В наличии
Цена: 16 990,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE3CL1.B1/LP-M8 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull, Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 11.4 mm x 34.2 mm x 18.3 mm
Артикул: 50137208
| В наличии
Цена: 8 524,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/2 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140158
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/2X-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140156
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/4 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140154
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/4X-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140151
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/N - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140159
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/NX-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140157
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/P - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140155
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/PX-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140152
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412BL2.1/2 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -10 ... 50 °C
Артикул: 50140166
| В наличии
Цена: 21 760,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412BL2.1/4 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Stainless steel
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -10 ... 50 °C
Артикул: 50140168
| В наличии
Цена: 21 760,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412BL2.1/4X-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Stainless steel
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -10 ... 50 °C
Артикул: 50140163
| В наличии
Цена: 21 760,00 с НДС руб./шт.
В корзину