Каталог
Каталог rus / en

Оптические датчики

Цена  6210 - 211370,00 с НДС
Принцип действия
Рабочий диапазон

Тип выхода

Количество выходов
Источник света
Подключение

Размер пятна на дистанции

Резьба

Количество пинов
Интерфейс
Минимальный размер объекта
Предельный рабочий диапазон

Количество проводов в кабеле
Рабочий диапазон, белый 90%

Материал крышки оптики

Количество входов обучения
Оптимальное использование
Особенности

Функция

Тип устройства
Расстояние срабатывания
Материал корпуса

Частота переключения, ГЦ 0 - 750.15
Температура окружающей среды, эксплуатация

Входы деактивации
Количество аналоговых выходов
Длина кабеля

Диапазон регулировки

Принцип переключения

Управление/настройка

Товаров в разделе 1455
LE3CL1.1/6G-200-M8 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 11.4 mm x 34.2 mm x 18.3 mm
Артикул: 50137941
| В наличии
Цена: 18 332,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE3CL1.1/6G-M8 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 11.4 mm x 34.2 mm x 18.3 mm
Артикул: 50137201
| В наличии
Цена: 16 990,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE3CL1.1/LP-M8 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull, Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 11.4 mm x 34.2 mm x 18.3 mm
Артикул: 50137207
| В наличии
Цена: 8 524,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE3CL1.B1/4W-M8 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 11.4 mm x 34.2 mm x 18.3 mm
Артикул: 50137206
| В наличии
Цена: 17 885,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE3CL1.B1/6G-M8 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 11.4 mm x 34.2 mm x 18.3 mm
Артикул: 50137202
| В наличии
Цена: 16 990,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE3CL1.B1/LP-M8 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull, Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 11.4 mm x 34.2 mm x 18.3 mm
Артикул: 50137208
| В наличии
Цена: 8 524,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/2 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140158
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/2X-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140156
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/4 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140154
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/4X-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140151
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/N - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140159
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/NX-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140157
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/P - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140155
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412B/PX-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140152
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412BL2.1/2 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -10 ... 50 °C
Артикул: 50140166
| В наличии
Цена: 21 760,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412BL2.1/4 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Stainless steel
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -10 ... 50 °C
Артикул: 50140168
| В наличии
Цена: 21 760,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412BL2.1/4X-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Stainless steel
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -10 ... 50 °C
Артикул: 50140163
| В наличии
Цена: 21 760,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412BL2.1/N - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -10 ... 50 °C
Артикул: 50140167
| В наличии
Цена: 21 760,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412BL2.1/NX-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -10 ... 50 °C
Артикул: 50140162
| В наличии
Цена: 21 760,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412BL2.1/P - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -10 ... 50 °C
Артикул: 50140169
| В наличии
Цена: 21 760,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE412BL2.1/PX-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Stainless steel
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -10 ... 50 °C
Артикул: 50140164
| В наличии
Цена: 21 760,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE46C.1/4P-200-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected, Transient protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 20.5 mm x 76.3 mm x 44 mm
Артикул: 50136148
| В наличии
Цена: 21 611,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE46C.1/4P-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Transient protection, Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 20.5 mm x 76.3 mm x 44 mm
Артикул: 50127037
| В наличии
Цена: 20 418,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE46C.P/2N-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected, Transient protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 20.5 mm x 76.3 mm x 44 mm
Артикул: 50131556
| В наличии
Цена: 19 971,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE46C.P/4P-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Transient protection, Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Размер (Ш x В X Д): 20.5 mm x 76.3 mm x 44 mm
Артикул: 50131555
| В наличии
Цена: 19 971,00 с НДС руб./шт.
В корзину
Модули для Opencart