Цилиндрические фотоэлектрические датчики

Цена  6900 - 77740,00 с НДС
Принцип действия
Рабочий диапазон

Тип выхода
Количество выходов
Источник света
Подключение
Размер пятна на дистанции
Резьба
Количество пинов
Предельный рабочий диапазон

Входы деактивации
Материал крышки оптики
Длина кабеля
Рабочий диапазон, белый 90%

Функция

Материал корпуса
Тип устройства
Особенности

Частота переключения, ГЦ 0500
Температура окружающей среды, эксплуатация

Количество проводов в кабеле
Принцип переключения
Управление/настройка
Leuze Rus на карте Москвы — Яндекс Карты
Товаров в разделе 162
FT318BI.X3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133945
| В наличии
Цена: 14 009,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318BI.X3/P4-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50145326
| В наличии
Цена: 14 009,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328.3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122720
| В наличии
Цена: 15 649,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328.3/2N-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122719
| В наличии
Цена: 14 904,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328.3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Stainless steel, Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122718
| В наличии
Цена: 15 649,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328.3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Stainless steel, Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122717
| В наличии
Цена: 14 904,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328.W3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122716
| В наличии
Цена: 18 481,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328.W3/2N-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122715
| В наличии
Цена: 18 183,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328.W3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Stainless steel, Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122714
| В наличии
Цена: 18 481,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328.W3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Stainless steel, Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122713
| В наличии
Цена: 18 183,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.3/2N-M12P1 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50144041
| В наличии
Цена: 15 649,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.3/4P-M12P1 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Stainless steel, Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50127773
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.X3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133271
| В наличии
Цена: 16 245,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.X3/2N-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133941
| В наличии
Цена: 15 799,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.X3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133940
| В наличии
Цена: 16 245,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.X3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133942
| В наличии
Цена: 15 799,00 с НДС руб./шт.
В корзину
HRTR 318K/66-120 - Диффузный датчик с подавлением заднего фона
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Transient protection, Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 65 °C
Артикул: 50106089
| В наличии
Цена: 25 933,00 с НДС руб./шт.
В корзину
HRTR 318K/66-120-S12 - Диффузный датчик с подавлением заднего фона
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Transient protection, Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 65 °C
Артикул: 50106085
| В наличии
Цена: 25 933,00 с НДС руб./шт.
В корзину
HRTR 318M/66-120 - Диффузный датчик с подавлением заднего фона
Материал корпуса: Stainless steel
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Transient protection, Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 65 °C
Артикул: 50106090
| В наличии
Цена: 30 703,00 с НДС руб./шт.
В корзину
HRTR 318M/66-120-S12 - Диффузный датчик с подавлением заднего фона
Материал корпуса: Stainless steel
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Transient protection, Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 65 °C
Артикул: 50106086
| В наличии
Цена: 30 703,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE318B.W/2N - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50116848
| В наличии
Цена: 15 351,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE318B.W/2N-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50116849
| В наличии
Цена: 14 457,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE318B.W/4P - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50116850
| В наличии
Цена: 15 351,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE318B.W/4P-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50116851
| В наличии
Цена: 14 457,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE318B/2N - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50116844
| В наличии
Цена: 10 135,00 с НДС руб./шт.
В корзину
Модули для Opencart