Цилиндрические фотоэлектрические датчики

Цена  6900 - 77740,00 с НДС
Принцип действия
Рабочий диапазон

Тип выхода
Количество выходов
Источник света
Подключение
Размер пятна на дистанции
Резьба
Количество пинов
Принцип переключения
Управление/настройка
Предельный рабочий диапазон

Входы деактивации
Материал крышки оптики
Длина кабеля
Рабочий диапазон, белый 90%

Функция

Материал корпуса
Тип устройства
Особенности

Частота переключения, ГЦ 0500
Температура окружающей среды, эксплуатация

Количество проводов в кабеле
Leuze Rus на карте Москвы — Яндекс Карты
Товаров в разделе 162
FT318BI.X3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133945
| В наличии
Цена: 14 009,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318BI.X3/P4-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50145326
| В наличии
Цена: 14 009,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328.3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122720
| В наличии
Цена: 15 649,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328.3/2N-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122719
| В наличии
Цена: 14 904,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328.3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Stainless steel, Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122718
| В наличии
Цена: 15 649,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328.3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Stainless steel, Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122717
| В наличии
Цена: 14 904,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328.W3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122716
| В наличии
Цена: 18 481,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328.W3/2N-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122715
| В наличии
Цена: 18 183,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328.W3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Stainless steel, Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122714
| В наличии
Цена: 18 481,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328.W3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Stainless steel, Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122713
| В наличии
Цена: 18 183,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.3/2N-M12P1 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50144041
| В наличии
Цена: 15 649,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.3/4P-M12P1 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Stainless steel, Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50127773
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.X3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133271
| В наличии
Цена: 16 245,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.X3/2N-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133941
| В наличии
Цена: 15 799,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.X3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133940
| В наличии
Цена: 16 245,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.X3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133942
| В наличии
Цена: 15 799,00 с НДС руб./шт.
В корзину
HRTR 318K/66-120 - Диффузный датчик с подавлением заднего фона
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Transient protection, Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 65 °C
Артикул: 50106089
| В наличии
Цена: 25 933,00 с НДС руб./шт.
В корзину
HRTR 318K/66-120-S12 - Диффузный датчик с подавлением заднего фона
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Transient protection, Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 65 °C
Артикул: 50106085
| В наличии
Цена: 25 933,00 с НДС руб./шт.
В корзину
HRTR 318M/66-120 - Диффузный датчик с подавлением заднего фона
Материал корпуса: Stainless steel
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Transient protection, Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 65 °C
Артикул: 50106090
| В наличии
Цена: 30 703,00 с НДС руб./шт.
В корзину
HRTR 318M/66-120-S12 - Диффузный датчик с подавлением заднего фона
Материал корпуса: Stainless steel
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Transient protection, Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 65 °C
Артикул: 50106086
| В наличии
Цена: 30 703,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE318B.W/2N - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50116848
| В наличии
Цена: 15 351,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE318B.W/2N-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50116849
| В наличии
Цена: 14 457,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE318B.W/4P - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50116850
| В наличии
Цена: 15 351,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE318B.W/4P-M12 - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50116851
| В наличии
Цена: 14 457,00 с НДС руб./шт.
В корзину
LE318B/2N - Фотоэлектрический датчик однолучевой receiver
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50116844
| В наличии
Цена: 10 135,00 с НДС руб./шт.
В корзину
Модули для Opencart