Цилиндрические фотоэлектрические датчики

Цена  6900 - 77740,00 с НДС
Принцип действия
Рабочий диапазон

Тип выхода
Количество выходов
Источник света
Подключение
Размер пятна на дистанции
Резьба
Количество пинов
Количество проводов в кабеле
Принцип переключения
Управление/настройка
Предельный рабочий диапазон

Входы деактивации
Материал крышки оптики
Длина кабеля
Рабочий диапазон, белый 90%

Функция

Материал корпуса
Тип устройства
Особенности

Частота переключения, ГЦ 0500
Температура окружающей среды, эксплуатация

Leuze Rus на карте Москвы — Яндекс Карты
Товаров в разделе 162
ET412B.1/2 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140140
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET412B.1/2X-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140138
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET412B.1/4 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140136
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET412B.1/4X-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140134
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET412B.1/N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140141
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET412B.1/NX-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140139
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET412B.1/P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140137
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
ET412B.1/PX-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 36 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -25 ... 55 °C
Артикул: 50140135
| В наличии
Цена: 15 947,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318B.3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122557
| В наличии
Цена: 12 668,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318B.3/2N-5000 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50141603
| В наличии
Цена: 14 009,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318B.3/2N-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122556
| В наличии
Цена: 11 774,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318B.3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122555
| В наличии
Цена: 12 668,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318B.3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122554
| В наличии
Цена: 11 774,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318B.W3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122553
| В наличии
Цена: 15 054,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318B.W3/2N-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122552
| В наличии
Цена: 13 563,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318B.W3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122551
| В наличии
Цена: 15 054,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318B.W3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50122550
| В наличии
Цена: 13 563,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318BI-100F.X/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50135286
| В наличии
Цена: 14 308,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318BI.3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50126608
| В наличии
Цена: 13 264,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318BI.3/2N-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50127997
| В наличии
Цена: 11 625,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318BI.3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50126609
| В наличии
Цена: 13 264,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318BI.3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50127996
| В наличии
Цена: 11 625,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318BI.X3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133270
| В наличии
Цена: 14 308,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318BI.X3/2N-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133944
| В наличии
Цена: 14 009,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318BI.X3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133943
| В наличии
Цена: 14 308,00 с НДС руб./шт.
В корзину
Модули для Opencart