Главная Продукция Датчики переключения Щелевые датчики

Щелевые датчики

Цена  21505 - 281520,00 с НДС
Дизайн
Тип выхода
Количество выходов
Источник света
Подключение
Резьба
Количество пинов
Тип дисплея
Подложка
Количество проводов в кабеле
Длина кабеля
Материал крышки оптики
Между этикетками, мин.
Температура окружающей среды, хранение
Функция
Направление коннектора
Материал корпуса
Количество соединений
Задержка готовности
Принцип переключения
Температура окружающей среды, эксплуатация
Особенности
Управление
Физический принцип
Длина волны
Тип напряжения
Количество входов обучения
Управление/настройка
Интерфейс
Leuze Rus на карте Москвы — Яндекс Карты
Товаров в разделе 115
GS 04M/N-120-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 54 mm
Артикул: 50110787
Нет в наличии
Купить в 1 клик
В корзину
GS 04M/N-220-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 114 mm
Артикул: 50110788
Нет в наличии
Купить в 1 клик
В корзину
GS 04M/N-30-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 34 mm
Артикул: 50110791
Нет в наличии
Купить в 1 клик
В корзину
GS 04M/N-50-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 54 mm
Артикул: 50110789
Нет в наличии
Купить в 1 клик
В корзину
GS 04M/N-80-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 54 mm
Артикул: 50110790
Нет в наличии
Купить в 1 клик
В корзину
GS 04M/P-120-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 54 mm
Артикул: 50110785
Нет в наличии
Купить в 1 клик
В корзину
GS 04M/P-20-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 24 mm
Артикул: 50110792
Нет в наличии
Купить в 1 клик
В корзину
GS 04M/P-220-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 114 mm
Артикул: 50110786
Нет в наличии
Купить в 1 клик
В корзину
GS 04M/P-30-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 34 mm
Артикул: 50110782
Нет в наличии
Купить в 1 клик
В корзину
GS 04M/P-50-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 54 mm
Артикул: 50110783
Нет в наличии
Купить в 1 клик
В корзину
GS 04M/P-80-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 54 mm
Артикул: 50110784
Нет в наличии
Купить в 1 клик
В корзину
GSL 04M/N-30-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 34 mm
Артикул: 50124703
Нет в наличии
Купить в 1 клик
В корзину
GSL 04M/P-30-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 34 mm
Артикул: 50110793
Нет в наличии
Купить в 1 клик
В корзину
GSL 04M/P-50-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 54 mm
Артикул: 50110794
Нет в наличии
Купить в 1 клик
В корзину
GSL 04M/P-80-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 54 mm
Артикул: 50110795
Нет в наличии
Купить в 1 клик
В корзину
12345
Мы в соцсетях
Адрес
107023, г. Москва, ул. Электрозаводская, д.24
Тел./факс
+7 (495) 646-20-92
E-mail
info@leuze.ru

Режим работы:

Пн. - Пт.: 8:30 - 18:00

Сб. - Вс.: только онлайн-заказы

Компания
О компании
Качество
История
Карьера
Отрасли
Контакты и поддержка
Помощь покупателю
Доставка и оплата
Гарантия и возврат
Новости
Исследования и статьи
Политика конфиденциальности
Акции
© leuze.ru [LEUZE RUS], 2025 | Разработка SDev
Модули для Opencart