Вилочные (щелевые) датчики для обнаружения объекта

Цена  21505 - 75440,00 с НДС
Тип выхода
Количество выходов
Источник света
Подключение
Раствор вилки 5220 мм
Глубина вилки 17114 мм
Резьба
Количество пинов
Материал крышки оптики
Частота переключения, ГЦ 1.510000
Температура окружающей среды, хранение
Материал корпуса
Принцип переключения
Температура окружающей среды, эксплуатация
Физический принцип
Длина волны
Управление/настройка
Интерфейс
Leuze Rus на карте Москвы — Яндекс Карты

Оптические щелевые датчики положения – это один из типов однолучевых барьеров. В устройстве есть конструкция в виде вилки, в которой один напротив другого установлен излучатель и приемник. Эти элементы располагаются на небольшом расстоянии, они зафиксированы жестко, поэтому не требуется юстировка и регулирование датчика. Когда объект попадает в вилку между излучателем и приемником, прерывается луч и генерируется сигнал коммутации. В устройстве используется очень тонкий луч, что позволяет фиксировать при помощи щелевых датчиков объекты минимальных геометрических размеров.

Модели устройств необходимо выбирать с учетом ширины щели и типов выходного сигнала. Если выход дискретный, то может быть PNP, NPN или PushPull. Также при выборе устройств, работающих на оптическом принципе, необходимо обращать внимание на тип источника света: лазер либо светодиод.

Товаров в разделе 41
GS04B/P.1-10-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 17 mm
Артикул: 50146160
| В наличии
Цена: 21 590,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-100-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146169
| В наличии
Цена: 32 603,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-120-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 60 mm
Артикул: 50146170
| В наличии
Цена: 32 603,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-170-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 110 mm
Артикул: 50146171
| В наличии
Цена: 49 701,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-20-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 25 mm
Артикул: 50146161
| В наличии
Цена: 23 329,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-220-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 110 mm
Артикул: 50146172
| В наличии
Цена: 52 019,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-30-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 35 mm
Артикул: 50146162
| В наличии
Цена: 26 951,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-40-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 45 mm
Артикул: 50146163
| В наличии
Цена: 28 256,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-5-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 17 mm
Артикул: 50146159
| В наличии
Цена: 23 329,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-50-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146164
| В наличии
Цена: 29 270,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-60-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Aluminum
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146165
| В наличии
Цена: 29 994,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-70-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146166
| В наличии
Цена: 31 009,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-80-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146167
| В наличии
Цена: 31 588,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-90-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146168
| В наличии
Цена: 31 878,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS08B/1.1-120-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 60 mm
Артикул: 50146194
| В наличии
Цена: 54 627,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS08B/1.1-30-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 35 mm
Артикул: 50146191
| В наличии
Цена: 39 413,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS08B/1.1-50-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146192
| В наличии
Цена: 39 413,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS08B/1.1-80-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146193
| В наличии
Цена: 47 672,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GSL04B/1.1-120-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 60 mm
Артикул: 50146190
| В наличии
Цена: 46 223,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GSL04B/1.1-30-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 35 mm
Артикул: 50146187
| В наличии
Цена: 41 007,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GSL04B/1.1-50-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146188
| В наличии
Цена: 41 876,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GSL04B/1.1-80-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146189
| В наличии
Цена: 43 470,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GSL08B/1.1-120-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 60 mm
Артикул: 50146198
| В наличии
Цена: 75 348,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GSL08B/1.1-30-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 35 mm
Артикул: 50146195
| В наличии
Цена: 58 685,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GSL08B/1.1-50-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146196
| В наличии
Цена: 58 685,00 с НДС руб./шт.
В корзину
12