Вилочные (щелевые) датчики для обнаружения объекта

Цена  21505 - 75440,00 с НДС
Тип выхода
Количество выходов
Источник света
Подключение
Глубина вилки 17114 мм
Раствор вилки 5220 мм
Резьба
Количество пинов
Принцип переключения
Температура окружающей среды, эксплуатация
Физический принцип
Длина волны
Управление/настройка
Интерфейс
Материал крышки оптики
Частота переключения, ГЦ 1.510000
Температура окружающей среды, хранение
Материал корпуса
Leuze Rus на карте Москвы — Яндекс Карты

Оптические щелевые датчики положения – это один из типов однолучевых барьеров. В устройстве есть конструкция в виде вилки, в которой один напротив другого установлен излучатель и приемник. Эти элементы располагаются на небольшом расстоянии, они зафиксированы жестко, поэтому не требуется юстировка и регулирование датчика. Когда объект попадает в вилку между излучателем и приемником, прерывается луч и генерируется сигнал коммутации. В устройстве используется очень тонкий луч, что позволяет фиксировать при помощи щелевых датчиков объекты минимальных геометрических размеров.

Модели устройств необходимо выбирать с учетом ширины щели и типов выходного сигнала. Если выход дискретный, то может быть PNP, NPN или PushPull. Также при выборе устройств, работающих на оптическом принципе, необходимо обращать внимание на тип источника света: лазер либо светодиод.

Товаров в разделе 41
GS04B/P.1-10-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 17 mm
Артикул: 50146160
| В наличии
Цена: 21 590,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-100-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146169
| В наличии
Цена: 32 603,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-120-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 60 mm
Артикул: 50146170
| В наличии
Цена: 32 603,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-170-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 110 mm
Артикул: 50146171
| В наличии
Цена: 49 701,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-20-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 25 mm
Артикул: 50146161
| В наличии
Цена: 23 329,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-220-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 110 mm
Артикул: 50146172
| В наличии
Цена: 52 019,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-30-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 35 mm
Артикул: 50146162
| В наличии
Цена: 26 951,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-40-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 45 mm
Артикул: 50146163
| В наличии
Цена: 28 256,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-5-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 17 mm
Артикул: 50146159
| В наличии
Цена: 23 329,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-50-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146164
| В наличии
Цена: 29 270,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-60-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Aluminum
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146165
| В наличии
Цена: 29 994,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-70-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146166
| В наличии
Цена: 31 009,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-80-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146167
| В наличии
Цена: 31 588,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-90-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146168
| В наличии
Цена: 31 878,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS08B/1.1-120-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 60 mm
Артикул: 50146194
| В наличии
Цена: 54 627,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS08B/1.1-30-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 35 mm
Артикул: 50146191
| В наличии
Цена: 39 413,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS08B/1.1-50-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146192
| В наличии
Цена: 39 413,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS08B/1.1-80-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146193
| В наличии
Цена: 47 672,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GSL04B/1.1-120-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 60 mm
Артикул: 50146190
| В наличии
Цена: 46 223,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GSL04B/1.1-30-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 35 mm
Артикул: 50146187
| В наличии
Цена: 41 007,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GSL04B/1.1-50-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146188
| В наличии
Цена: 41 876,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GSL04B/1.1-80-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146189
| В наличии
Цена: 43 470,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GSL08B/1.1-120-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 60 mm
Артикул: 50146198
| В наличии
Цена: 75 348,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GSL08B/1.1-30-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 35 mm
Артикул: 50146195
| В наличии
Цена: 58 685,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GSL08B/1.1-50-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146196
| В наличии
Цена: 58 685,00 с НДС руб./шт.
В корзину
12
Модули для Opencart