Каталог
Каталог rus / en

Оптические вилочные датчики GS 04

Цена  21505 - 52095,00 с НДС
Тип выхода
Количество выходов
Источник света
Подключение
Глубина вилки 17114 мм
Раствор вилки 5220 мм
Резьба
Количество пинов
Длина волны
Управление/настройка
Интерфейс
Материал крышки оптики
Частота переключения, ГЦ 1.510000
Температура окружающей среды, хранение
Материал корпуса
Принцип переключения
Температура окружающей среды, эксплуатация
Физический принцип

Легко адаптируемый и прочный

Эта серия с расстоянием между обкладками от 5 до 220 мм может быть оптимально адаптирована к конкретному применению посредством регулировки чувствительности и переключения между выходами на свет и темноту. Варианты с лазером могут использоваться для надежного обнаружения даже мельчайших деталей.
Товаров в разделе 33
GS04B/P.1-10-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 17 mm
Артикул: 50146160
| В наличии
Цена: 21 590,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-100-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146169
| В наличии
Цена: 32 603,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-120-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 60 mm
Артикул: 50146170
| В наличии
Цена: 32 603,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-170-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 110 mm
Артикул: 50146171
| В наличии
Цена: 49 701,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-20-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 25 mm
Артикул: 50146161
| В наличии
Цена: 23 329,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-220-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 110 mm
Артикул: 50146172
| В наличии
Цена: 52 019,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-30-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 35 mm
Артикул: 50146162
| В наличии
Цена: 26 951,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-40-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 45 mm
Артикул: 50146163
| В наличии
Цена: 28 256,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-5-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 17 mm
Артикул: 50146159
| В наличии
Цена: 23 329,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-50-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146164
| В наличии
Цена: 29 270,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-60-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Aluminum
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146165
| В наличии
Цена: 29 994,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-70-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146166
| В наличии
Цена: 31 009,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-80-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146167
| В наличии
Цена: 31 588,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-90-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146168
| В наличии
Цена: 31 878,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GSL04B/1.1-120-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 60 mm
Артикул: 50146190
| В наличии
Цена: 46 223,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GSL04B/1.1-30-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 35 mm
Артикул: 50146187
| В наличии
Цена: 41 007,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GSL04B/1.1-50-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146188
| В наличии
Цена: 41 876,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GSL04B/1.1-80-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146189
| В наличии
Цена: 43 470,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS 04M/N-120-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 54 mm
Артикул: 50110787
Нет в наличии
В корзину
GS 04M/N-220-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 114 mm
Артикул: 50110788
Нет в наличии
В корзину
GS 04M/N-30-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 34 mm
Артикул: 50110791
Нет в наличии
В корзину
GS 04M/N-50-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 54 mm
Артикул: 50110789
Нет в наличии
В корзину
GS 04M/N-80-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, NPN
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 54 mm
Артикул: 50110790
Нет в наличии
В корзину
GS 04M/P-120-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 54 mm
Артикул: 50110785
Нет в наличии
В корзину
GS 04M/P-20-S8 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 24 mm
Артикул: 50110792
Нет в наличии
В корзину
12
Модули для Opencart