Каталог
Каталог rus / en

Щелевые датчики

Цена  21505 - 281520,00 с НДС
Дизайн
Тип выхода
Количество выходов
Источник света
Подключение
Резьба
Количество пинов
Принцип переключения

Температура окружающей среды, эксплуатация
Особенности

Управление
Физический принцип
Длина волны

Тип напряжения
Количество входов обучения
Управление/настройка
Интерфейс
Тип дисплея
Подложка
Количество проводов в кабеле
Длина кабеля
Материал крышки оптики
Между этикетками, мин.
Температура окружающей среды, хранение
Функция

Направление коннектора
Материал корпуса
Количество соединений
Задержка готовности
Товаров в разделе 115
GS 63B/6 - Вилочный фотоэлектрический щелевой датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal, Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Артикул: 50128001
| В наличии
Цена: 32 491,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS 63B/6,200-S12 - Вилочный фотоэлектрический щелевой датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Plastic, Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Артикул: 50128002
| В наличии
Цена: 32 789,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS 63B/6-S8 - Вилочный фотоэлектрический щелевой датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Plastic, Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Артикул: 50128011
| В наличии
Цена: 32 491,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS 63B/6-S8V - Вилочный фотоэлектрический щелевой датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal, Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Артикул: 50128012
| В наличии
Цена: 32 491,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS 63B/6.01,200-S12 - Вилочный фотоэлектрический щелевой датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal, Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Артикул: 50128003
| В наличии
Цена: 34 429,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS 63B/6.3,200-S8 - Вилочный фотоэлектрический щелевой датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Plastic, Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Артикул: 50129248
| В наличии
Цена: 33 684,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS 63B/6.3-S8 - Вилочный фотоэлектрический щелевой датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal, Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Артикул: 50128004
| В наличии
Цена: 38 303,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS 63B/6.3-S8V - Вилочный фотоэлектрический щелевой датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal, Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Артикул: 50128005
| В наличии
Цена: 38 303,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS 63B/66.3-S8 - Вилочный фотоэлектрический щелевой датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal, Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Артикул: 50143910
| В наличии
Цена: 37 410,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS 63B/6D - Вилочный фотоэлектрический щелевой датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Plastic, Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Артикул: 50128006
| В наличии
Цена: 32 491,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS 63B/6D,200-S12 - Вилочный фотоэлектрический щелевой датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal, Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Артикул: 50128007
| В наличии
Цена: 32 789,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS 63B/6D,200-S8 - Вилочный фотоэлектрический щелевой датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal, Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Артикул: 50131604
| В наличии
Цена: 33 684,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS 63B/6D-S8 - Вилочный фотоэлектрический щелевой датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Plastic, Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Артикул: 50128010
| В наличии
Цена: 32 491,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS 63B/6D.3-S8 - Вилочный фотоэлектрический щелевой датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Plastic, Metal
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Артикул: 50128008
| В наличии
Цена: 38 303,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS 63B/6D.3-S8V - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal, Plastic
Тип выхода: Transistor, Push-pull
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Артикул: 50128009
| В наличии
Цена: 38 303,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-10-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 17 mm
Артикул: 50146160
| В наличии
Цена: 21 590,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-100-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146169
| В наличии
Цена: 32 603,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-120-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 60 mm
Артикул: 50146170
| В наличии
Цена: 32 603,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-170-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 110 mm
Артикул: 50146171
| В наличии
Цена: 49 701,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-20-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 25 mm
Артикул: 50146161
| В наличии
Цена: 23 329,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-220-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 110 mm
Артикул: 50146172
| В наличии
Цена: 52 019,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-30-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 35 mm
Артикул: 50146162
| В наличии
Цена: 26 951,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-40-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 45 mm
Артикул: 50146163
| В наличии
Цена: 28 256,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-5-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 17 mm
Артикул: 50146159
| В наличии
Цена: 23 329,00 с НДС руб./шт.
В корзину
GS04B/P.1-50-M8.3 - Вилочный фотоэлектрический датчик
Физический принцип: Optical
Материал корпуса: Metal
Тип выхода: Transistor, PNP
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC
Глубина зева: 55 mm
Артикул: 50146164
| В наличии
Цена: 29 270,00 с НДС руб./шт.
В корзину
Модули для Opencart