Каталог
Каталог rus / en

Пластиковые цилиндрические датчики с отражением от объекта серия 318

Цена  10695 - 16330,00 с НДС
Принцип действия
Тип выхода
Количество выходов
Источник света
Подключение
Резьба
Количество пинов
Температура окружающей среды, эксплуатация
Принцип переключения
Управление/настройка
Рабочий диапазон, белый 90%

Длина кабеля
Материал крышки оптики
Особенности
Функция
Количество проводов в кабеле
Материал корпуса
Товаров в разделе 36
FT318BI.3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50126609
| В наличии
Цена: 13 264,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318BI.3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50127996
| В наличии
Цена: 11 625,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318BI.X3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133270
| В наличии
Цена: 14 308,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318BI.X3/2N-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133944
| В наличии
Цена: 14 009,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318BI.X3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133943
| В наличии
Цена: 14 308,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318BI.X3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133945
| В наличии
Цена: 14 009,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT318BI.X3/P4-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50145326
| В наличии
Цена: 14 009,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.X3/2N - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133271
| В наличии
Цена: 16 245,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.X3/2N-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, NPN
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133941
| В наличии
Цена: 15 799,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.X3/4P - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Polarity reversal protection, Short circuit protected
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133940
| В наличии
Цена: 16 245,00 с НДС руб./шт.
В корзину
FT328I.X3/4P-M12 - Энергетический диффузный датчик
Материал корпуса: Plastic, Stainless steel
Тип выхода: Transistor, PNP
Защита: Short circuit protected, Polarity reversal protection
Напряжение питания U в: 10 ... 30 V, DC, Incl. residual ripple
Температура окружающей среды, эксплуатация: -40 ... 60 °C
Артикул: 50133942
| В наличии
Цена: 15 799,00 с НДС руб./шт.
В корзину
12
Модули для Opencart